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　　RNGD基于台积电的5nm工艺制造，其芯片面积为653mm²，集成了400亿个晶体管和256MB的片上SRAM缓存，还使用CoWoS-S封装技术集成两颗24GB的HBM312Hi内存，片外内存带宽达1.5TB/s。这些配置让RNGD拥有卓越的处理能力，其INT8算力可达512TOPS，BF16算力为256TOPS，而在INT4算力方面更是达到1POPS，同时其热设计功耗（TDP）仅为150W。这些性能数据让RNGD支持在Meta的Llama3等高端生成式AI模型上的应用。